リフトオフプロセス

ウエットエッチングを用いたプロセスでは配線形成が困難な金属（Pt、Ta等）やウエットエッチングは可能だが、膜構成によっては下層へのダメージが懸念される場合（ITO上のSiO2等）に用います。

対応金属膜

Pt、Ta、SiO2、SiNなど

• 最小L/S＝10/10μm
• 配線高さ＝～2μm
• 対応基板サイズ
  ～200×200mm
  　～Φ200mm